台积电 预计高NA光刻后时代的芯片制造成本会暴涨
2022-09-27 16:00:34 来源: cnBeta

在接受 Bits & Chips 采访时,台积电首席技术官 Martin van den Brink 预计 —— 在不远的将来,半导体光刻技术或走到尽头。按照现有的路线图,台积电将在极紫外光刻(EUV)之后转向高数值孔径。该公司现正携手 Imec,准备 2023 年迎来其首台研究型 High-NA 扫描仪。

如果一切顺利,ASML 有望 2024 年交付首台研发机器,并于 2025 年的某个时候迎来首批使用 High-NA 的量产设备。不过出于对当前供应链不确定性的担忧,这一最终时机或有所改变。

正因如此,当前订单将是优先事项。如有需要,Hign-NA 的开发可能会被搁置。或正如 Martin van den Brink 所述 ——“当下吃饱,比明日吃好更加重要”(today's meal takes priority over tomorrow's)。

此外作为光刻技术发展的下一阶段,预计 High-NA 扫描仪将比 EUV 更耗电、各阶段功率约 2 兆瓦,且制造和使用成本都会高到让人望而却步。

Martin van den Brink 总结道:若“超数值孔径”(hyper-NA)的成本暴涨类似“高数值孔径”(Hign-NA),那在克服该问题之前,它在经济效益层面几乎就是不可行的。

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