据Blocks and Files报道，X-NAND闪存背后的公司声称，通过实现数据的并行写入，其第二代芯片的存储速度提高了一倍。这样一来，X-NAND可以从QLC闪存中提供SLC级别的性能，而QLC闪存更便宜，而且容量更大。

尼欧半导体的X-NAND架构可应用于所有世代的闪存，包括将3D矩阵的每个平面划分为4至16个子平面，每个子平面都可以并行访问，使用页面缓冲器来优化速度。第二代X-NAND采用了这一理念并将其压缩，使用一个平面写入另一个平面，而在以前，它将使用三个平面写入第四个平面。

简单的解释是，它加快了速度，第二代3D X-NAND芯片可以以3200 MBps的速度写入，而不是前一代的1600 MBps，整个东西的运行速度比传统NAND闪存快20倍。还有延迟方面的改进，但这方面的细节还没有公布。

在今年8月2日至4日于加州圣克拉拉举行的闪存峰会上，第二代技术获得了最佳展示奖。 据尼欧公司称，新技术与目前的制造技术兼容，不会增加制造成本或芯片尺寸。

尼欧半导体公司的创始人兼首席执行官徐安迪在获奖后说。"这个奖项肯定了我们为向NAND市场推出一项真正的创新技术所做的努力，该技术具有广泛的功能，能够解决IT系统和消费产品中日益增长的性能瓶颈问题。X-NAND Gen-2的吞吐量比X-NAND Gen1增加了一倍，使客户能够以更大的容量和更低的成本实现类似SLC的性能的QLC存储器。X-NAND Gen2采用了零影响的架构和设计变化，不会增加制造成本，同时提供了非凡的吞吐量和延迟改进"。